10nm技术！Intel研发新工艺之路不停歇

     Intel今年已经开始量产14nm工艺，下一代工艺将是10nm，Intel原本计划在2015年底开始投产10nm工艺。随着半导体工艺进入10nm内，新一代EUV光刻设备也愈加重要，这还要看荷兰ASML公司的研发进度了。日前该公司公布了Q3季度财报，其中提到他们将在2016年10nm工艺节点上正式启用EUV光刻工艺，首个客户普遍认为是Intel公司。

    荷兰ASML公司是全球最大的半导体装备制造公司，他们两年前推出了试验型EUV光刻设备NXE:3100，量产型则是NEX:3300B，该设备每天的晶圆产能已经达到了500片，不过这个产能跟当初提到的每小时70片晶圆相差还是很多。

英特尔的路线图（图片来自驱动之家）

    截止到目前，总计有6台NXE:3300B设备通过了认证并出货，总订单量是11台，其中3台去年出货，5台是已经出货或者正在出货，剩下的3台预计在2015年升级到NEX:3350B型号。

    ASML还提到了他们正在跟一个客户合作，准备在2016年的10nm中期节点安装EUV光刻设备，这意味着两年后的10nm节点上我们会正式迎来EUV工艺，谈论了多年的技术终于开始量产了。

    ASML并没有公布这个客户的名字，不过业界普遍认为这是Intel公司，Intel不仅是ASML公司的大客户，也是大股东之一，2012年投资41亿美元获得了ASML公司15%的股份，对推动EUV光刻工艺也是最积极的，当然，Intel也是最有实力和财力的，首先应用EUV工艺并不意外。

    不过EUV工艺拖延了这么多年，Intel对此早就淡定了，此前他们表示就算没有EUV光刻工艺，他们也懂得如何在7nm工艺制造芯片，言外之意就是有EUV工艺更好，没有EUV也行的，英特尔不差这点。

紧接着Broadwell，14nm Skylake样品清单曝光（图片来自驱动之家）

    如果您想知道Intel的工艺水平为何领先，那么从他积极的研发新工艺和紧张的路线图上就能略知一二。在如今显卡芯片工艺还处于28nm的当下，Intel手握最先进的22nm工艺已经2、3年了，由于工艺良品率的问题和Intel自身的市场预期，Broadwell为代表的14nm工艺推迟到了明年，这也直接让14nm与之后的10nm工艺的时间间隔进行了压缩。

    可以说，Intel今年推出的Haswell Refresh主要是延续每年推出新产品的传统，Haswell-E也主要是将DDR4这个新标准带出来，那么我们可以对明后年留有更多期待，更先进的工艺（14nm、10nm、甚至7nm）衍生出来的更低功耗、性能的巨大增长空间，其势必会带来更震撼的技术革命。