●供电模块温度测试！

    在供电模块中，MOSFET属于发热大户，而MOSFET的发热量与供电模块电路的设计和通过MOSFET的电流有关。如果同样采用65W TDP功耗的处理器，供电相数少的主板，供电模块所要通过的电流量会加倍上升，MOSFET因所要过滤的电流量增加，温度也将跟着上升。

三相供电设计的H61主板MOSFET温度

六项供电设计的H61主板MOSFET温度

    在测试中，我们采用Intel I3 2100处理器，分别在两款主板上做测试。通过同时运行Perme95和Furmark，让处理器一直处于满载工作状态。在平台运行30分钟后，分别对两款主板供电模块的MOSFET进行温度测量，可以看到，三相供电的H61主板，MOSFET温度高达85度，而六相供电的H61主板，MOSFET温度还不到40度，温度相差一倍。

    在主板供电模块中，如果MOSFET长期处于高温下操作，会导致切换速度受到影响，并引起可靠度降低与寿命缩短等问题。此外，通道电阻会因为温度升高而随之增加，使得在元件中pn-接面（pn-junction）导致的功率损耗增加。假设外置的散热系统无法让MOSFET的温度保持在够低的水平，很有可能让这些MOSFET遭到热破坏（thermal runaway）的命运。