供电篇之微星P45D3-Platinum

　　在开始这个项目的比试之前，首先要阐明的是主板供电设计对超频性能的重要性。事实上供电系统设计的规格对于超频成绩的影响并不像很多用户想象的那样立杆见影。不过必须肯定的是，理论上供电相数越多，主板的超频性能就越强，但这实际上是指长时间承受超频的能力，而不是暂时的，或一瞬间的。

　　每相供电中MOSFET按照PWM芯片发出时钟周期的分段轮流激活，即无论相数多少，在任何一个时间点上，只有一条线路中的MOSFET开启释放电流。所有开关零件都是在交替工作，多相供电的真实意义是让每个元件都有休息的时间，来应付处理器动辄几安培甚至十几安培的电流所产生的高热。供电相数的增加，只是让每个MOSFET以及低频滤波电容能够有更长的时间休息而已。因此在热量或电流超过MOFET的承受上限之前，短时间内，4相供电与8相供电对处理器超频的支持效果不会存在太大差异。尤其是在“不求天长地久，只求瞬间拥有”的极限超频挑战下，供电路线中元件的质量才是决定命运的要素。这也就不难理解为何在4相和6相处理器主板阵营中也会频繁杀出黑马了。

　　内存、北桥供电的评判意义与处理器供电相同，只是针对的芯片有异。

◎供电篇之微星P45D3-Platinum

处理器供电

　　处理器为原生6相位供电，使用封闭式铁芯电感和日化固态铝壳电容。供电开关元件独树一帜，DrMOS具有许多其它种类的MOSFET没有的优点。它将MOSFET和Driver以及电源管理器整合在了一起。在节能模式下，它可以动态即时开启或关闭下辖的供电线路，并可实现平滑过渡，降低对整体电流波形的影响。DrMOS的另一大优点是工作温度极低，即使在极限工作状态下没有散热片的眷顾也能照常工作。

耦合电容

　　微星P45D3-Platinum的耦合电容也非常独特，中间一排陶瓷电容被一颗容量相对较大的钽电容替代。

北桥供电

内存供电

　　北桥与内存分别采用了单相、双相供电，供电线路中采用的MOSFET为低阻抗功率IC，依然由铁芯电感和日化电容负责滤波扼流工作。外加4pin D型口辅助电源可以在组件双卡交货时进一步确保能源稳定。虽然元件质量上乘，但若长期在高外频状态下使用，北桥供电系统可能有些吃力。

　　微星P45D3-Platinum供电系统评分：★★★★★☆