Ultra Durable2技术介绍 - Low Rds mosfet

   在上一篇文章中，我们介绍了技嘉Ultra Durable 2技术中的铁氧体磁芯电感，在本篇文章中，我们将介绍技嘉的另一个创新：Low Rds(on)d MOSFET。

   MOSFET（Metal Oxide Semicoduc-tor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管），是电源中担任着一个相当重要的角色，如果说PWM控制器芯片提供脉冲调制，并发出脉冲信号来进行电流/电压的控制命令，那么MOSFET就是一个门卫的职责，MOSFET1和MOSFET2进行轮流导通，电场效应的开关作用来控制电感来适合CPU一直在浮动的电压值，从而保持CPU的正常工作。这是一个不断充电和放电的过程，其主旨是给CPU供应着稳定的电压，永远使负载两端的电压不会升高也不会降低。还有就是由于MOSFET场效应管工作在开关状态，导通时的内阻和截止时的漏电流都较小，所以自身耗电量很小，避免了线性电源串接在电路中的电阻部分消耗大量能量的问题。而在多相供电中，进行MOSFET地多次开关调节，来控制着几路电路能够一直提供稳定的电压，来为CPU的稳定工作保驾护航。

   由于MOSFET一直进行着频繁地工作，所以它一直是CPU供电部分中的发热大户，从而影响到它的使用寿命。早在865/875时代，许多主板厂商就开始在解决MOSFET发热上做足了功夫，为MOSFET开小灶开辟独立的散热片等屡见不鲜。从而让我们一直以来都知道，MOSFET是很重要的。

   但许多人或许不知道，其实MOSFET中有一个相当重要的规格叫作RDS，也就是在导通状态下的内阻值，这直接影响到MOSFET工作的效率以及温度等诸多方面。在技嘉P35系列主板中，技嘉采用了Low Rds(on)d MOSFET，这类MOSFET采用了更加先进的技术制造，体积更小巧，随之带来的好处是内部能够快速将热量导出，在技术方面，Ultra Durable2超耐久技术中的MOSFETS优化了门电路，最大限度的减小转换损失，也由此降低了传导功耗，及自身耗电量，而这带来的直接好处便是可以大幅降低其自身功耗，降低发热量，同理而言，在更小的体积上能够提供更大的输出功率。

   通过使用了高品质的Low Rds(on)d MOSFET后，可以比普通产品降低16%的温度，这显然不是吹出来的，通过温度的降低来改善供电效能，并增加工作寿命，为技嘉Ultra Durable 2更稳定的发挥奠定了一个坚实的基础。