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稳步向前进 台积电10nm工艺2016年到来

  [  中关村在线 编译  ]   作者:  |  责编:吴俊杰
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    由于移动处理器市场需求不断扩大,TSMC台积电的资本投资也在攀升,今年90亿美元的资本开支中有15亿美元投向了R&D研发,不仅提升了现有的28nm产能,2016到2017年见也会进入到10nm及7nm FinFET工艺,下一代的450mm(18英寸)晶圆工厂也将在2017年启动。 

TSMC:10nm工艺2016年到来
台积电制程进化稳步进行

  TSMC在2010年的R&D研发费用是10亿美元,2012年的研发费用是13.6亿美元,今年增加到了15亿美元,未来几年还会继续增长。这些费用很大一部分都用于开发未来更先进的16nm、10nm制程工艺,TSMC预计在明年开始生产16nm FinFET工艺。

  根据此前及TSMC日前披露的消息,TSMC今年底将开始小幅试产20nm工艺,CEO张忠谋表示在2014年会开始大规模量产20nm工艺。

  目前的主流还是28nm工艺,而且28nm工艺并不会停滞不前,TSMC还在努力扩大相应的产能,预计到今年底将达到(每月)10万片等效300mm晶圆的水平,是2012年产能的三倍之多。

  至于450mm晶圆,TSMC在2017年会启动相关的工厂建设工作,但是真正的量产恐怕还得等几年,因为提供关键半导体制造设备的ASML公司预计2018年才会正式量产。

mb.zol.com.cn true //mb.zol.com.cn/372/3726296.html report 919     由于移动处理器市场需求不断扩大,TSMC台积电的资本投资也在攀升,今年90亿美元的资本开支中有15亿美元投向了R&D研发,不仅提升了现有的28nm产能,2016到2017年见也会进入到10nm及7nm FinFET工艺,下一代的450mm(18英寸)晶圆工厂也将在2017年启动。...
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