新一代DrMOS开关技术供电效率可达91%

　　整合式驱动器MOSFET（DrMOS）是由Intel公司提出的半导体装置封装标准，DrMOS将CPU等电源供应器所需要的两种类型功率MOSFET及单个驱动IC整合于单一封装中，以达到高效率省单位空间的目的。目前在服务器以及高端DIY主板产品中被采用，其中以微星主板应用最为广泛。

　　瑞萨科技近日发表R2J20653ANP，整合了驱动器与MOSFET，适用于笔记本电脑CPU、内存等稳压器（VR）。此产品符合整合式驱动器MOSFET（DrMOS）标准，可承受高电压；输入电压最高达27V，并可达到91%最高供电效率（以输入电压 20V及输出电压1.1V运作时）;此外，R2J20653ANP是第一款DrMOS兼容并且在驱动IC中整合两阶段过热保护功能之产品，包括过热警示功能及过热停止运作功能，且于2009年12月7日开始量产。