七彩虹双芯超频技术工作原理

●新增的超频选项知多少？

    "X双芯"超频技术，BIOS的改变是最直接反映出来的，新增BIOS选项有VTT1.2 Voltage、VCC1.5 Voltage、MCH GTL Reference、CPU GTLx Reference。”，工程师介绍到。

以下是战旗C.P45 X5 D3超频版BIOS—>C.OCLOCK（超频选项）截图

     与此前早前的版本对比，BIOS确实发生了一些变化。当被问及这项选项的功能时，工程师详细的介绍了一下：
 
   一.VTT1.2 Voltage作用：定义前端总线电压。增加VTT 电压可以增加信号强度。在追求高外频时候，需适当增加VTT。

   二.VCC1.5 Voltage作用：南桥电压。用于提升南桥在高频状态下的稳定性。有利于提升系统运行的稳定性。

   三.MCH GTL Reference作用：北桥参考电压。当北桥处于高频状态时，容易误判晶体管信号。GTL则产生一个基准电压（取自于VTT），作为判定晶体管0,1状态的依据。没有这个电压，提升VTT可能只是单纯增加功耗。

   四.CPU GTLx Reference作用：CPU内核参考电压。GTL电压值同样是作为CPU内核判定晶体管0,1状态的依据。电压大小取自于和VTT的百分比。GTL和VTT合理搭配可以获得更高的外频表现。

●最高可加100%，调压幅度精确致0.001V

  除了增加超频选项外，工程师还特别谈到可加电压的幅度问题，以及精确度问题，这些对超频的稳定性起着关键的作用。我们来了解一下都有哪些发生了变化。

CPU电压最高可以加1V，步进精确致0.025V

    DDR3时代，除了CPU超频外，内存是否能工作在更高的频率是人们开始关注的地方。DDR3三大优势中，更高的频率是DDR2能存所无法比拟之处。而采用100nm的工艺，使拥有更低的工作电压（1.5v），更优秀的高频特性。本次双芯超频技术的加入，一方面优化内存高频信号线路设计，另一方面，提升内存电压加压范围，最高可以加0.775V。并且将精确度进一步调整致0.005V。

     针对Intel平台，在LGA775时代，北桥依然承担着重要的任务——FSB及内存控制等。超频离不开对FSB（Front Side Bus）的调整，增加北桥的工作电压有利于进一步加强其在高频状态下的稳定性。在双芯超频技术的引入后，Chipset（北桥）电压电高可以加0.21V，精度为0.03V。

●精准性“判断门”的引入(GTL Ref)

   这还得从芯片的工作原理上说起。看似复杂的晶体管电路其实是很单纯的事物，它只有两种状态，那就是“通”或“断”，也可以说成是“充电”和“放电”。计算机指令语言将“通”描述为1，“断”描述为0，一切信息都可以由不同时间长度的“通”和“断”交替组合在一起来表达或储存。由此就构成了如“0110101001”这样的二进制世界。

　　芯片内个别有瑕疵的晶体管会发生电子溢出的现象，且此现象会随着超频的幅度而加剧，这些迁移的电子可能会导致它周围此时不该充电的晶体管带电，造成数据混乱。因此处理器指令集在识别二进制信号的过程中需要一个“开”的电压标准，也就是说晶体管中存在多高的电压才算1？这就是CPU VTT电压，也可以认为是信号强度电压，一般只有专为超频设计的旗舰级主板才会开放对这个参数的调节。

一次充放电过程的电压走势不会是一个完美的方波

      由于电路接通时产生的磁场造成了不可能完全消除的杂讯（电压波动），一次充放电过程的电压走势不会是一个完美的方波，此时GTL Reference就起到了决定性作用。GTL Reference就是信号识别的电压区间。如上图所示，在一次充放电的电压走势中，总有一个区间没有波峰和波谷，即Noise Margin（杂讯空白）。将此区间确立为参考电压值可以让芯片对0、1做出准确判断。
   
     无论是处理器还是北桥芯片，超频时都会增加杂讯的强度，此时的有效手段就是适当降低GTL Reference在信号电压中所处的高度，尽可能地让这个区域远离杂讯。如若过度降低也会适得其反，GTL Reference可能仍处于杂讯范围内。