内存随心所欲 时序设定详解

●内存时序设定详解

　　内存参数的调节相对挑战极致外频来说宽松一些，根据所使用的内存属性设置即可。如在本次测试中所用PATRIOT内存采用镁光D9颗粒，拥有极强的频率和延迟性能。当内存工作在DDR3-1600以上时仍然能够使用较低的延迟：7-7-7-19-5-72-12-5，这样可能获得的测试成绩会更加理想一些。不过如果只以尝试外频为目的，建议用户使用宽松的时序，较低的内存分频，减小内存出现瓶颈的可能性。

　　此外Rampage Extreme对内存参数的自动优化非常出色，在“2nd Information”（第二信息）里内存时序将由单双通道状态区分调试。在常见的双通道模式下，需要将单通道针对性设定维持Auto。对这个区域不太属性的用户可以全部使用Auto，让BIOS自行选择恰当值。

内存基本时序设定

内存附属时序设定

　　“3rd Information”（第三信息）内的内存参数对性能影响已经微乎其微，只与内存稳定性存在少许关联，因此建议用户尽可能维持Auto。

　　“DRAM Static Read Control”（内存静态读取）和“DRAM Dynamic Write Control”（内存动态写入）这两项设定与内存执行效率关系紧密，理论上全部开启将获得最理想内存效能。但是后者开启时往往会降低内存的超频能力，得不偿失。而前者在内存频率未至极限时基本都可开启，建议设为Enable。

　　必须注意到上图中的最下方的功能选项“EPUII Phase Control”（供电相数控制），这是华硕通过电源管理芯片EPU实现的节能功能，它能够根据处理器负载程度增减供电相数。为了加强超频的可靠性，推荐设为Full Phase。