近日，三星在Samsung Foundry Forum大会上，宣布了一个重磅炸弹，那就是其3nm Gate-All-Around（GAA）工艺已经在开发中了，与7nm技术相比，三星的3GAE工艺将减少45％芯片面积％，功耗降低50％，性能提高35％，同时预计在 2021年量产，将服务于人工智能（AI）、机器学习、5G网络、汽车、物联网（物联网（IoT）以及高级数据中心等诸多领域。
三星3nm路线图公布 2021年将量产芯片
而三星电子铸造业务总裁兼负责人ES Jung博士也称：“我们站在第四次工业革命的边缘，这是一个高性能计算和连接的新时代，这将推动地球上每个人的日常生活，
三星的路线图包括四种基于FinFET的工艺，从7nm到4nm，采用极紫外（EUV）技术以及3nm GAA或MBCFET。而在今年下半年，三星计划开始批量生产6nm工艺产品并完成4nm工艺的开发。
三星5nm FinFET工艺的产品设计于4月开发，预计将于今年下半年完成，并将于2020年上半年开始量产，进展非常迅猛。
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