产品介绍 GA-EG45M-DS2H赏析

　　图为 GIGABYTE 推出的 GA-EG45M-DS2H 主板，采用 MicroATX Factor 、尺寸为 24.4cm x 24.4cm ，芯片组采用全新 Intel G45 北桥芯片配搭 ICH10R 南桥芯片。处理器接口为 Socket 775 ，供电模块为 VRD 11.1 版本，支持最新 Intel 45 奈米处理器。

GA-EG45M-DS2H

　　Intel G45 芯片组官方规格最高仅支持 1333MHz FSB ，但由于 G45 拥有一定的 FSB 带宽空间，因此 GIGABYTE GA-EG45M-DS2H 提供非方官 1600MHz FSB 支持，并保证可使用现时最强的 Intel Core 2 Extreme QX9770 处理器。

G45芯片北桥

　　内存方面，虽然 G45 同时提供 DDR2 及 DDR3 内存控制器，但由于现时主流市场仍以 DDR2 模块为主，因此 GIGABYTE 选择为 GA-EG45M-DS2H 提供 DDR2 内存配置，支持 Dual Channel 技术，四组 DIMM 最高可支持 16GB 内存容量。此外， GIGABYTE 提供了 DDR2 内存超频设计，令 GA-EG45M-DS2H 可非官方支持 DDR2-1066 内存速度。

丰富的接口

　　值得注意的是，由于 Intel G45 IGP 的 SDVO 是共享了 PCI-e 绘图接口的线路，因此 GIGABYTE 提供了 HDMI 及 DVI 输出端子后，绘图接口速度仅为 PCI-E x4 Gen2 。

　　南桥方面， GA-EG45M-DS2H 采用 ICH10R 芯片，提供 6 个 SATA 接口支持 RAID 0 、 1 、 0+1 、 5 、 10 及 Matrix RAID 模式，支持 Port Disable 功能，留意主板上有五个 SATA 接口放置在主板左下方，有一组被放置于 Back Panel 中用作 e-SATA 用途。

　　GA-EG45M-DS2H 加入 Ultra Durable 2 技术，除了全片主板采用采用日系固态电容外，供电模块 Low RDS(on) MOSFETs 低电阻式晶体管、换上 Ferrite Core Choke 亚铁盐芯电感。

　　Low RDS(on) MOSFETs 具备较低的电阻抗，在省电同时并降低产生废热，与一般晶体管相比，温度至少可减低约 16% ，且改良 Ferrite Core Choke 拥有绝佳的用电效率，在高频的情况下能减少最高达 25% 的电能损耗， 2 项改变均令供电模块运作温度大幅降低，提升系统的稳定性。

　　此外， GA-EG45M-DS2H 加入 Dynamic Energy Saver(DES) 节能技术， 其可按照处理器的功耗负载，实时开启或关闭部份供电模块，自动调整至最具效率的电源相位，由 2 相、 3 相及 4 相不停实时切换。

　　GA-EG45M-DS2H 加入 Ultra TPM 数据加密技术，采用 Infineon TPM 芯片，提供硬件 2048bits 的数据加密，配合 GIGABYTE 独家 Ultra TPM 软件，不仅提供数据安全上的防护，为令数据更加安全及增加使用上的方便性，其容许使用者将密钥存于 USB 随身碟中随身携带，避免未经过受权的用户窃取数据，达到双重数据安全保障。