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    HBM3/DDR5内存技术参数首次公开 7nm打造

      [  中关村在线 转载  ]   作者:快科技   |  责编:赵剑楠

      不是很懂这家公司,曾经的“专利流氓”Rambus今天居然公开了DDR5内存和HBM3存储的技术参数。

    HBM3/DDR5内存技术参数首次公开 7nm打造

      德媒ComputerBase报道称,Rambus的规划显示,HBM3基于7nm工艺制造,带宽高达4GT/s,封装架构更加复杂。

    HBM3/DDR5内存技术参数首次公开 7nm打造

      按照单芯片1024bit位宽,速度就可以实现512GB/s到1TB/s,也就是比HBM2直接翻了两番。

      至于DDR5内存,设计目标I/O带宽6.4Gbps,总带宽51.2GB/s,频率4800~6400MHz,预取位数16bit,均比DDR4翻番。

      其实在今年9月,Rambus就号称在实验室搞定了第一块完整工况的DDR5验证产品,电压还只有1.1V。

    HBM3/DDR5内存技术参数首次公开 7nm打造

      然而,必须指出的是,至少在整个2018年,HBM3/DDR5的影子都不会见到,最快最快也需要2019年。

      Rambus到底是用PPT吓人还是真有几把刷子,那就不得而知了。只希望这种技术出来以后,不要再凭借专利去到处“咬人”,而且当年Intel因为硬上Rambus RDRAM被结结实实坑了一把。

    mb.zol.com.cn true http://mb.zol.com.cn/669/6696579.html report 731   不是很懂这家公司,曾经的“专利流氓”Rambus今天居然公开了DDR5内存和HBM3存储的技术参数。  德媒ComputerBase报道称,Rambus的规划显示,HBM3基于7nm工艺制造,带宽高达4GT/s,封装架构更加复杂。  按照单芯片1024bit位宽,速度就可以实现512GB/s到1TB/s,也就...
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