DDR3内存的引入：频率极度拉升

DDR3内存的引入：频率极度拉升

　　●  8倍预读取技术的DDR3

　　DRAM内存技术从DDR占据市场主流开始步入了无法停止的频率提升漩涡，即使是目前已经大大超出桌面处理器对内存带宽的需求，DDR2还是要被频率更高的DDR3所替代。好在这种技术进步很快就能被规模化生产把产品价格拉低，用户们还是能够乐于接受反反复复的变化。

数据预读取技术支撑内存频率攀升

　　DDR3的可达到的频率上限超过2000MHz，和DDR2一样，它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率，这次的预读取位数是8bit，因此目前最高DDR3-1600MHz芯片的存储单元频率也仅和DDR2-800及DDR-400的存储单元频率快相当，提升空间非常大。除了预读取位数翻番带来的突发长度改变，DDR3还在多处对DDR2的技术加以改进并应用：

　　点对点连接 ——  这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

　　新增的重置功能 —— 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的 。

　　逻辑Bank数量 —— DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

　　高级的刷新控制 —— DDR3支持根据温度自动自刷新及局部自刷新等其它一些功能，联合重置功能和1.5V的低操作电压，DDR3在功耗方面要比DDR2更为出色。

　　DDR3的其他明显的新增特点还包括ZQ校准、分成两部分的参考电压、突发长度和封装等，以下的表格汇总了这些信息：

　　●  延迟缺点不可忽视、产品换代拉力不足

　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟增加一样，DDR的总体延迟比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在3～5之间，而DDR3则在6～10之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。 同时DDR3写入延迟（CWD）的部分也较DDR2劣化，具体状况在上表中有详细对比。

　　毫无疑问，这些延迟的提高降低了内存频率提升带来的收益，甚至在某些情况下还形成了频率上升性能下降的例子，这种状况在DDR2替换DDR时就被很多用户所指责，现时的DDR3同样无法回避。

　　总而言之，双通道DDR2-800、DDR2-1066水平的内存模组提供的内存带宽目前还未成为DIY PC系统的性能瓶颈，因此淘汰DDR2的换代动力并不是很强劲，DDR3只是按技术研发的步伐缓慢的来到我们面前。