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把牙齿也武装起来-供电解析二

大陆仅此一片 玩家国度R3BE全球首测

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 吴国水 责任编辑:向中 【原创】 2011年03月23日 06:20 评论
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●把牙齿也武装起来-供电解析二

  在北桥的供电上华硕玩家国度R3BE主板也做得相当体面,不仅在元器件的用料的选取上十分讲究而且加强的设计上也非常给力,3相北桥供电分别搭配了,做工和质量与一般货不可同日而语。以及一上一下的LFPAK封装的9025L低内阻MOSFET。在稳固的供电前提下该主板完全


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ROG Rampage III Black Edition北桥供电

  3相北桥供电在普通主板上是难以见到的,同时大家也再一次见到价值不菲的NEC去耦电容的身影,大家都知道其实在超频中北桥所起的作用是非常大的,稳定的供电环境是极限超频中必不或缺的因素之一,强强联合的供电设计给予用户最大限度的超频享受!贴片式电感与DirectFET封装的MOSFET的联手给予供电体系最强大的支持。

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  Direct FET封装的MOS采用独占的结构和用料,从封装顶部散掉的热量是普通SO8 MOS的两倍半,有效的顶部散热意味器件散发出的热量可以被带离线路板,增加元器件安全工作的电流值。

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内存与南桥部分供电设计

  在内存部分,Rampage III Black Edition(R3BE)主板采用了3相供电设计,电容使用富士通6.3V 560uF超长寿命固态电容并搭配优质贴片电感。为了保障提高内存频率后的稳定性,ROG设计团队特地加入了一枚NEC的去耦电容以提供更洁净的电源输出,完全可以轻松支持DDR3 2133~2400频率的超频。南桥供电MOSFET上桥和下桥与内存供电一样都采用了LFPAK封装的9025L低内阻MOSFET。

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主板供电元件分布全貌

  主板密密麻麻的布满了各种元气件,8层PCB的设计也更有利于主板的布线,在超频性能上相信大家通过了解整体设计上已经看出一些端倪了吧。ROG专职打造属于玩家的超频主板一点也不假。

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